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A novel high voltage LIGBT with an n-region in p-substrate

Verfasser / Beitragende:

成建兵张波李肇基

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2011

ID:

FETCH-chongqing_primary_398224303

Format:

Journal Article

Measurement of keff by delayed neutron multiplication in subcritical systems

Verfasser / Beitragende:

Chao-Wen Yang; Chun Zheng; Bin Ye

Veröffentlicht in:

Nuclear science and techniques

Jahr:

2018

ID:

FETCH-wanfang_journals_hjs_e2018020143

Format:

Journal Article

A passive UHF RFID tag chip with a dual-resolution temperature sensor in a 0.18μm standard CMOS process

Verfasser / Beitragende:

冯鹏章琦吴南健

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2011

ID:

FETCH-chongqing_primary_398224473

Format:

Journal Article

Synthesis and optical properties of nanostructured Ce（OH）4

Verfasser / Beitragende:

Ansari A A KaushikA

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2010

ID:

FETCH-chongqing_backfile_331483333

Format:

Journal Article

Theoretical analysis of enhanced light output from a GaN light emitting diode with an embedded photonic crystal

Verfasser / Beitragende:

文锋刘德明黄黎蓉

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2010

ID:

FETCH-chongqing_backfile_355035473

Format:

Journal Article

Automatic data archiving and visualization at HLS-

Verfasser / Beitragende:

Chuan Li; Gong-Fa Liu; Yi-Fan Song; Ke Xuan

Veröffentlicht in:

Nuclear science and techniques

Jahr:

2018

ID:

FETCH-wanfang_journals_hjs_e2018090083

Format:

Journal Article

A 10-bit 50-MS/s sample-and-hold circuit with low distortion sampling switches

Verfasser / Beitragende:

朱旭斌倪卫宁石寅

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2009

ID:

FETCH-chongqing_backfile_304330743

Format:

Journal Article

Theoretical study of the SiO_2/Si interface and its effect on energy band profile and MOSFET gate tunneling current

Verfasser / Beitragende:

朱晖文刘咏松毛凌峰沈静琴朱志艳唐为华

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2010

ID:

FETCH-chongqing_backfile_348725973

Format:

Journal Article

A new cleaning process combining non-ionic surfactant with diamond film electrochemical oxidation for polished silicon wafers

Verfasser / Beitragende:

高宝红朱亚东刘玉岭王胜利周强刘效岩

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2010

ID:

FETCH-chongqing_backfile_345005583

Format:

Journal Article

Two-dimensional pixel image lag simulation and optimization in a 4-T CMOS image sensor

Verfasser / Beitragende:

于俊庭李斌桥于平平徐江涛牟村

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2010

ID:

FETCH-chongqing_backfile_351815893

Format:

Journal Article

A new level-shifting structure with multiply metal rings by divided RESURF technique

Verfasser / Beitragende:

刘继芝陈星弼

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2009

ID:

FETCH-chongqing_backfile_300614433

Format:

Journal Article

A 0.18 μm CMOS 3-5 GHz broadband flat gain low noise amplifier

Verfasser / Beitragende:

冯立松黄鲁白雪飞席天佐

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2010

ID:

FETCH-chongqing_backfile_329208513

Format:

Journal Article

Effect of current on the microstructure and performance of （Bi_2Te_3）_（0.2）（Sb_2Te_3）_（0.8） thermoelectric material via field activated and pressure assisted sintering

Verfasser / Beitragende:

陈瑞雪孟庆森樊文浩王忠

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2011

ID:

FETCH-chongqing_primary_384658683

Format:

Journal Article

A novel fully differential telescopic operational transconductance amplifier

Verfasser / Beitragende:

李天望叶波江金光

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2009

ID:

FETCH-chongqing_backfile_313092953

Format:

Journal Article

An analytical model for the surface electrical field distribution of LDMOSFETs with shield rings

Verfasser / Beitragende:

陈蕾杜寰

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2011

ID:

FETCH-chongqing_primary_377561553

Format:

Journal Article

Conductivity modulation enhanced lateral IGBT with SiO_2 shielded layer anode by SIMOX technology on SOI substrate

Verfasser / Beitragende:

陈文锁张波李肇基方健关旭

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2010

ID:

FETCH-chongqing_backfile_341557603

Format:

Journal Article

A high linearity current mode multiplier/divider with a wide dynamic range

Verfasser / Beitragende:

Liao Pengfei Luo Ping Zhang Bo Li Zhaoji

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2012

ID:

FETCH-chongqing_primary_441103183

Format:

Journal Article

Ag surface plasmon enhanced double-layer antireflection coatings for GaAs solar cells

Verfasser / Beitragende:

王彦硕陈诺夫张兴旺杨晓丽白一鸣崔敏汪宇陈晓锋黄添懋

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2009

ID:

FETCH-chongqing_backfile_310597543

Format:

Journal Article

A wideband LNA employing gate-inductive-peaking and noise-canceling techniques in 0.18μm CMOS

Verfasser / Beitragende:

包宽樊祥宁李伟章丽王志功

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2012

ID:

FETCH-chongqing_primary_407254033

Format:

Journal Article

A multi-mode multi-band RF receiver front-end for a TD-SCDMA/LTE/LTE- advanced in 0.18-μm CMOS process

Verfasser / Beitragende:

郭瑞张海英

Veröffentlicht in:

Journal of semiconductors

Jahr:

2012

ID:

FETCH-chongqing_primary_432799803

Format:

Journal Article